?? �:碳化�硅单晶炉系统TDL60P - 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司

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碳化 單晶爐系統TDL60P
編號︰SN20150801142150212
類別︰碳化 晶體生長爐
  • 產品概述
  • 規格參數
  • 服務支持

    設備用途
    主要用于半導體和LED行業。采用中頻感應加熱方式,物理氣相傳輸法生長優質光學晶體。


    設備組成
    本系統采用單室立式雙層水冷不銹鋼結構。由爐膛、真空獲得及測量系統、籽晶桿拉送系統、坩堝桿拉送系統、感應加熱系統、電控系統等組成。

    技術指標

    型號

    TDL60P

    爐內真空度

    極限真空

    6.6×10-5Pa

    系統抽速

    60分鐘內真空度<2×10-3Pa(短時間暴露大氣並充入干燥氮氣開始抽氣

    系統漏率

    停泵關機12小時後真空度≤10Pa

    爐體

    主爐膛

    尺寸Φ600×800 mm

    副爐膛

    尺寸?300×400mm

    轉速

    0~30rpm

    提拉速度連續可調範圍

    0.06~6/h

    快提拉速度連續升降可調

    ≥50/min

    有效行程

    390

    坩堝傳動機構

    轉速

    0~30rpm

    升速範圍

    0.06~6/h

    快提拉速度連續升降可調

    ≥50/min

    有效行程

    560

    額定總功率

    55KW

    循環水用量

    3m3/h

    真空配置

    分子泵、機械泵、插板閥

    佔地面積

    主機

    1500×2500mm2

    電控櫃

    700×700mm2(一個)

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